Расчёт предконечного усилительного каскада

Как было определено выше, требуется получить мощность эквивалентного генератора PГ = 0,6 Вт.

Выходной транзистор включен по стандартной схеме. Входное сопротивление этой схемы активное и равно 50 Ом. На выходе предконечного каскада необходимо получить мощность 0,6 Вт. Для предконечного каскада усиления используем транзистор типа КТ919В. Частота усиливаемого сигнала - 1300 МГц. Параметры транзистора следующие:

· EK = 22 B,

· TП = 150°С,

· ТК = 25°С,

· RПК = 40 °С/Вт,

· h21Э = 100,

· СК =5 пФ,

· СЭ = 10 пФ,

· rБ = 2 Ом,

· rК = 3 Ом,

· rЭ = 0,1 Ом,

· UКЭ мах = 45 В,

· UЭБ мах = 3,5 В,

· LЭ = 0,7 нГн,

· LК = 1,5 нГн,

· LБ = 0,14 нГн.

Крутизну линии граничного режима определим как:

А/В,

Коэффициент использования транзистора по коллекторному напряжению в граничном режиме равен:

,

Амплитуда напряжения эквивалентного генератора:

В,

Амплитуда тока первой гармоники:

А,

Проверим условие, что не будет превышено максимально допустимое напряжение на коллекторе:

UГ + ЕК < UКЭ мах

,78+22 < 45

Условие выполняется.

Вычислим сопротивление нагрузки эквивалентного генератора:

Ом.

Крутизна по переходу:

А/В.

Сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе:

Ом,

Крутизна статической характеристики:

А/В.

Выберем угол отсечки работы транзистора. Для получения хорошего коэффициента усиления по 1 гармонике, но чтобы при этом не усложнять схему выберем компромиссное значение угла отсечки θ = 90°. При этом коэффициенты разложения для нулевой (постоянная составляющая) и первой гармоники будут равны:

, ,

Пиковое обратное напряжение на эмиттерном переходе:

Это значение меньше чем UЭБ мах.

Далее рассчитываем комплексные амплитуды токов и напряжений первых гармонических составляющих. Управляющий ток:

А,

где с - время пролёта неосновных носителей.

Ток эмиттера:

А,

Напряжение на сопротивлении rэ с учетом индуктивности Lэ:

В,

Первая гармоника напряжения на переходе:

Лучшие статьи по информатике

Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
Развитие микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...

Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей прокатки. По ...

Частота сообщения
Задание 1 Рассчитать и построить амплитудно-частотный спектр ЧМП сигнала и определить полосу частот, если частота модулирующего сообщения , частота несущ ...