Informatics Point
Информатика и проектирование
Как было определено выше, требуется получить мощность эквивалентного генератора PГ = 0,6 Вт.
Выходной транзистор включен по стандартной схеме. Входное сопротивление этой схемы активное и равно 50 Ом. На выходе предконечного каскада необходимо получить мощность 0,6 Вт. Для предконечного каскада усиления используем транзистор типа КТ919В. Частота усиливаемого сигнала - 1300 МГц. Параметры транзистора следующие:
· EK = 22 B,
· TП = 150°С,
· ТК = 25°С,
· RПК = 40 °С/Вт,
· h21Э = 100,
· СК =5 пФ,
· СЭ = 10 пФ,
· rБ = 2 Ом,
· rК = 3 Ом,
· rЭ = 0,1 Ом,
· UКЭ мах = 45 В,
· UЭБ мах = 3,5 В,
· LЭ = 0,7 нГн,
· LК = 1,5 нГн,
· LБ = 0,14 нГн.
Крутизну линии граничного режима определим как:
А/В,
Коэффициент использования транзистора по коллекторному напряжению в граничном режиме равен:
,
Амплитуда напряжения эквивалентного генератора:
В,
Амплитуда тока первой гармоники:
А,
Проверим условие, что не будет превышено максимально допустимое напряжение на коллекторе:
UГ + ЕК < UКЭ мах
,78+22 < 45
Условие выполняется.
Вычислим сопротивление нагрузки эквивалентного генератора:
Ом.
Крутизна по переходу:
А/В.
Сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе:
Ом,
Крутизна статической характеристики:
А/В.
Выберем угол отсечки работы транзистора. Для получения хорошего коэффициента усиления по 1 гармонике, но чтобы при этом не усложнять схему выберем компромиссное значение угла отсечки θ = 90°. При этом коэффициенты разложения для нулевой (постоянная составляющая) и первой гармоники будут равны:
,
,
Пиковое обратное напряжение на эмиттерном переходе:
Это значение меньше чем UЭБ мах.
Далее рассчитываем комплексные амплитуды токов и напряжений первых гармонических составляющих. Управляющий ток:
А,
где
с - время пролёта неосновных носителей.
Ток эмиттера:
А,
Напряжение на сопротивлении rэ с учетом индуктивности Lэ:
В,
Первая гармоника напряжения на переходе:
Разработка принципиальной схемы 16 разрядного счетчика с использованием программы Electron ics Workbench 5.12
Подсчет импульсов является одной из наиболее распространенных операций,
выполняемых в устройствах дискретной обработки информации. Такая операция в
циф ...
Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом
нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей
прокатки.
По ...
Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая
система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую
аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...
Меню сайта
2026 © www.informaticspoint.ru