Informatics Point

Информатика и проектирование

Расчёт предконечного усилительного каскада

Напряжение на активной емкости коллекторного перехода (Ска):

В,

Ток через емкость Ска:

А,

Ток через сопротивление rб:

А,

Напряжение на rб:

В,

Напряжение на сkп (пассивной емкости коллекторного перехода):

В,

Ток через CКП:

,

Сопротивление потерь коллектора rk, приведенное к параллельному эквиваленту относительно пассивной емкости коллекторного перехода:

Ом,

Ток источника возбуждения транзистора:

,

Напряжение на индуктивности вывода базы:

B,

Напряжение возбуждения транзистора:

В,

Первая гармоника тока коллектора:

А,

Амплитуда напряжения на нагрузке:

В,

Входное сопротивление для первой гармоники:

Ом,

Мощность возбуждения:

Вт,

Мощность в нагрузке:

Вт,

Постоянная составляющая тока коллектора: А,

Потребляемая мощность: Вт,

Коэффициент полезного действия:

Коэффициент усиления по мощности: ,

Допустимая мощность рассеивания транзистора:

Вт,

где tндоп , tk - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - тепловое сопротивление перехода - корпус транзистора (°С/Вт).

Мощность, рассеиваемая в транзисторе, не должна превышать допустимую:

Сопротивление нагрузки на внешних выводах транзистора:

Ом,

Перейти на страницу: 1 2 

Лучшие статьи по информатике

Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...

Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация производства является на современном этапе важнейшим фактором научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе ...

Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...

Меню сайта