Informatics Point
Информатика и проектирование
Исходные данные:
Базовый элемент: 3И-НЕ;
Тз = 1.2 нс; Lк = 0.6 мкм; dox = 30 нм; С = 1 пФ;on = 0.8 В; Uop = -1 В; Еп = 3 В; Vп = 1.6 В;
μр = 150 см2/(В·с); μn = 300 см2/(В·с).
Рис. 1. Схема элемента 3И-НЕ
Расчёт
'p max = 3bp; b'n max = bn; tз10 ≈ tз01 = Tз = 1.2·10-9 с;
Моделирование в программе MicroCAP
Рис. 2. Временная характеристика переключения логического элемента из логического нуля в логическую единицу
Рис. 3. Временная характеристика переключения логического элемента из логической единицы в логический ноль
Как можно заметить, расчётные данные совпали с результатами моделирования.
Проектирования умножителя
В основе лежит схема полного сумматора:
Рис. 4. Полный сумматор
Представляет собой сумматор двух 1-битных чисел. Для него справедлива следующая таблица истинности:
Таблица 1
a0 |
b0 |
c0 |
s0 |
c1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
Основы построения глобальной системы контроля Эшелон
«Эшелон» - общепринятое название глобальной системы
радиоэлектронной разведки и контроля, представляющей собой многонациональную
сеть электронных прослушива ...
Разработка технологического процесса сборки и монтажа усилителя тока
В
настоящее время, когда развивающаяся рыночная экономика заставляет предприятия
специализирующиеся на выпуске радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) работать в
...
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru