Informatics Point

Информатика и проектирование

Конструктивные и технологические особенности процесса

Для номинального положения корпуса форсунки и кольцевых труб максимальные и минимальные значения радиальных зазоров под пайку в плоскости кольца коллектора с наружной и внутренней сторон кольца, «Dнар» и «Dвн» соответственно, могут быть определены следующим образом. При d = 0,00 будет иметь место минимально возможная окружная неравномерность зазора. При этом →

При d = 0,08 будет иметь место максимально возможная окружная неравномерность зазора. При этом →

Ниже, в таблице приведены расчётные значения радиальных зазоров в плоскости расположения кольцевой трубы для I и II каскадов в начальном и конечном сечениях паяного соединения при номинальном положении корпуса форсунки и кольцевой трубы коллектора.

Таблица 3

t

I каскад

d = 0,00

d = 0,08

Dнар max

Dнар min

Dвн max

Dвн min

Dнар max

Dнар min

Dвн max

Dвн min

2,25

0,12

0,11

0,08

0,07

0,12

0,06

0,08

0,02

6,50

0,179

0,169

0,023

0,013

0,178

0,118

0,026

0,034

t

II каскад

d = 0,00

d = 0,08

Dнар max

Dнар min

Dвн max

Dвн min

Dнар max

Dнар min

Dвн max

Dвн min

2,25

0,12

0,11

0,08

0,07

0,12

0,06

0,08

0,02

6,50

0,179

0,169

0,023

0,013

0,178

0,118

0,026

0,034

Для номинального положения корпуса форсунки и кольцевых труб максимальные и минимальные значения радиальных зазоров под пайку в плоскости, перпендикулярной плоскости кольца коллектора, «D»могут быть определены следующим образом ( в первом приближении - без учёта отклонения «h»).

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Лучшие статьи по информатике

Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового Напряжения от кон ...

Техническое обслуживание и ремонт Автомагнитолы JVC
Ни один автолюбитель не откажется от поездки в авто под хорошую музыку. Современный водитель покупает автомагнитолу не в качества доп ...

Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ - устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к элек ...

Меню сайта