Анализ физических процессов в заданной полупроводниковой структуре

В - эффективная работа выхода из металла

Дж/К - постоянная Больцмана

м -3

Расчет недостающих параметров:

В - объемный потенциал

В - высота барьера Шоттки

В -разность потенциалов

В - разность работ выхода

Ф /M3 емкость диэлектрика

м -3 собственная концентрация носителей заряда

Дифференциальная емкость в режиме насышения Cmax

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

Ф /М ^2

Диффиренциальная емкость в режиме сильной инверсии

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

В - температурный потенциал

м - 3 собственная концентрация носителей заряда

м -3

Кл -заряд электрона

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

расчет недостающего параметра

м - толщина обедненного слоя

.4 Построение энергетической диаграммы МДП- структуры в режиме сильной инверсии

Необходимые электрофизические характеристики:

В -объемный потенциал

В -высота барьера Шоттки

м -толщина объединенного слоя

В - величина изгиба энергетических зон

м - толщина окисла

Лучшие статьи по информатике

Оборудование Среда-1
Автоматизация технологического процесса - совокупность методов и средств, предназначенная для реализации системы или систем, позволяющих осуществлят ...

Проектирование цифровых фильтров
цифровой фильтр дискретный квантование В данной работе рассмотрен пример решения задачи проектирования (расчета параметров) цифрового фильтра по известному а ...

Проект цифрового печатного узла, выполняющего функцию стабилизации напряжения
Производство цифровых устройств электронной аппаратуры в настоящее время находит все более широкое применение во многих областях народного хозяйства и в зна ...