Анализ физических процессов в заданной полупроводниковой структуре

В - эффективная работа выхода из металла

Дж/К - постоянная Больцмана

м -3

Расчет недостающих параметров:

В - объемный потенциал

В - высота барьера Шоттки

В -разность потенциалов

В - разность работ выхода

Ф /M3 емкость диэлектрика

м -3 собственная концентрация носителей заряда

Дифференциальная емкость в режиме насышения Cmax

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

Ф /М ^2

Диффиренциальная емкость в режиме сильной инверсии

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

В - температурный потенциал

м - 3 собственная концентрация носителей заряда

м -3

Кл -заряд электрона

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

расчет недостающего параметра

м - толщина обедненного слоя

.4 Построение энергетической диаграммы МДП- структуры в режиме сильной инверсии

Необходимые электрофизические характеристики:

В -объемный потенциал

В -высота барьера Шоттки

м -толщина объединенного слоя

В - величина изгиба энергетических зон

м - толщина окисла

Лучшие статьи по информатике

Проектирование систем электроснабжения промышленных предприятий на примере маслохозяйственного отделения ПП Ефремовская ТЭЦ
Основными потребителями электроэнергии являются различные отрасли промышленности: транспорт, сельское хозяйство, коммунальное хозяйство городов и поселков. ...

Модуль аналого-цифрового вводавывода FESTO EasyPort
гидравлический распределитель привод В настоящее время множество промышленных предприятий используют гидравлические исполнительные устройства (гидромоторы, ци ...

Приборы общего и специального назначения со встроенными микропроцессорами для измерения физических величин
Микропроцессорная техника получает все большее применение в приборостроении. Применение микропроцессоров (МП) преобразует измерительные приборы в «интеллект ...