Анализ физических процессов в заданной полупроводниковой структуре

В - эффективная работа выхода из металла

Дж/К - постоянная Больцмана

м -3

Расчет недостающих параметров:

В - объемный потенциал

В - высота барьера Шоттки

В -разность потенциалов

В - разность работ выхода

Ф /M3 емкость диэлектрика

м -3 собственная концентрация носителей заряда

Дифференциальная емкость в режиме насышения Cmax

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

Ф /М ^2

Диффиренциальная емкость в режиме сильной инверсии

параметры для расчета :

Ф /М электрическая постоянная

относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

В - температурный потенциал

м - 3 собственная концентрация носителей заряда

м -3

Кл -заряд электрона

относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика

м - толшина окисла

расчет недостающего параметра

м - толщина обедненного слоя

.4 Построение энергетической диаграммы МДП- структуры в режиме сильной инверсии

Необходимые электрофизические характеристики:

В -объемный потенциал

В -высота барьера Шоттки

м -толщина объединенного слоя

В - величина изгиба энергетических зон

м - толщина окисла

Лучшие статьи по информатике

Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей прокатки. По ...

Основы разработки карманного осциллографа
Осциллограф - прибор, предназначенный для исследования электрических сигналов во временном области путём визуального наблюдения графика сигнала на экран ...

Расчет управляемого преобразователя автоматизированного электропривода
Анализ продукции ведущих мировых производителей систем привода и материалов опубликованных научных исследований в этой области позволяет отметить следующие ...