Выбор диаметра отверстий

Диаметр отверстий в печатной плате должен быть больше диаметра вставляемого в него вывод для обеспечения свободной установки ЭРЭ.

При диаметре вывода до 0.8 мм диаметр не металлизированного отверстия делают на 0.2 мм больше диаметра вывода. При диаметре более 0.8 мм, на 0.3 мм больше.

Чтобы обеспечить надёжное соединение металлизированного вывода с печатным проводником, вокруг отверстия делают контактную площадку (с поправкой на гост).

Dkn=dотв+2b+c [1]

Где b-гарантийный поясок, выбирают в зависимости от класса точности по ГОСТ 23751-86

С-коэффициент, учитывающий влияние разброса межцентрового расстояния и ряда других факторов.

Для плат 1-го класса точности С берут равным (0.6-0.7) мм

Для плат 2-го и 3-го класса точности С берут (0.4-0.5) мм

Расчётные значения диаметров отверстий и контактных площадок сводятся в таблицу 6.

Таблица 6 - Размеры отверстий

Тип элемента	Диаметр вывода, мм		Диаметр отверстия, мм	Диаметр контактной площадки, мм	Количество отверстий
Резистор С2-33-0.5	0,8		1	4.2	2
Резистор С2-33-0.125	0,6		0.8	2.2	4
Конденсатор К73-11	0.8		1	0,7	6
Транзистор КТ 940А	0,6		0,8	0,7	3
Тиристор КУ 202	0,6		0,8	8.5	3
Микросхема К561 ЛА 7	0.5		0.7	7.5	28
Микросхема К561 ИЕ11		0.5	0.7	7.4	16
Диод КД522Б	0.5		0.7	1.9	2
Светодиод	0.6		0.8	9.5	3

Выбор вариантов установки элементов

Выбор варианта установки навесных ЭРЭ, их размещение на печатной плате, в том числе под автоматическую установку, осуществляется в соответствии с ОСТ 4.010.030-81.

Лучшие статьи по информатике

Электронавигационные приборы
На каждом судне для следования по намеченному курсу, выбора пути следования, контроля местонахождения в открытом море с учетом изменяющейся навигационной и ...

Ремонт и диагностика смартфонов HTC
Смартфон (англ. smartphone - умный телефон) - мобильный телефон, дополненный функциональностью карманного персонального компьютера. Смартфоны отличаются от ...

Элементная база для построения цифровых систем управления
Микроэлектроника - это комплексная область знаний, объектом изучения и разработки которой являются функционально сложные ИС, их структура, технология, диагн ...