Informatics Point
Информатика и проектирование
Построим нагрузочную прямую по переменному току (рисунок 10) ,
которая будет проходить через рабочую точку и точку <В> с напряжением
Точки пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками транзистора занесём в таблицу 1.
Напряжение база-эмиттер ,соответствующие токам iк1- iк4 находим по входной характеристике транзистора.
рисунок 10
Таблица 1
|
IБ, мА |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
|
UБЭ, В |
0,6 |
0,76 |
0,81 |
0,84 |
|
IК, мА |
1 |
8 |
13 |
21,5 |
Для повышения точности графических построений, начальный участок графика входной характеристики следует исключить, сместив начало отчета по оси напряжений база-эмиттер, и изменив масштаб по оси напряжений база-эмиттер, как показано на рисунке 11.
Используя пары значений UБЭ, IК из таблицы, строим сквозную характеристику,
рисунок 12.
Рисунок 12.Сквозная характеристика транзистора
Запишем полученное значение максимальной амплитуды входного сигнала UБЭ m=0,09 В. UБЭ.РТ=0,76 В
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая
система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую
аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...
Расчет антенны для земной станции спутниковой системы связи (ЗССС)
Зеркальные антенны являются наиболее распространёнными
остронаправленными антеннами. Их широкое применение в самых разнообразных
радиосист ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru