Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора

Эта схема известна также в литературе под названием <<гибридная схема замещения>> и <<схема замещения Джиаколетто>>.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база Uкб= Uкбрт

(9)

Где -емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база.

Значения и возьмем из справочника,причем значение -из той же строки справочника, что и

Напряжение коллектор-база в рабочей точке рассчитаем по формуле:

(10)

Выходное сопротивление транзистора

(11)

Сопротивление коллекторного перехода транзистора

(12)

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера

(13)

(14)

Сопротивление эмиттерного перехода для тока базы

(15)

Сопротивление базы транзистора

(16)

У транзисторов малой мощности средней частоты значение не нормируется,поэтому для этих транзисторов =100200 Ом.

Примем =150 Ом.

Диффузная емкость эмиттерного перехода

(17)

-граничная частота коэффициента передачи тока, частота на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером =1

рассчитывается по формуле

==1=Гц

где -частота, на которой измерен модуль коэффициента передачи тока базы

Крутизна транзистора

(18)

Лучшие статьи по информатике

Расчёт параметров настройки ПИ и ПИД регуляторов
Автоматизация производства является на современном этапе важнейшим фактором научно-технического прогресса во всех отраслях промышленности, в том числе ...

Применение сверхширокополосных сигналов в перспективных системах связи
В современных условиях требования, предъявляемые к эффективности и функциональности систем передачи информации (повышение помехоустойчивости, скрытность, э ...

Проектирование волоконно-оптической линии связи протяженностью 557 км
С течением времени роль информации в жизни человека становилась все существеннее. Нужно было изучать и понимать уже не только законы природы, но и понятия и ...