Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора

Эта схема известна также в литературе под названием <<гибридная схема замещения>> и <<схема замещения Джиаколетто>>.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база Uкб= Uкбрт

(9)

Где -емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база.

Значения и возьмем из справочника,причем значение -из той же строки справочника, что и

Напряжение коллектор-база в рабочей точке рассчитаем по формуле:

(10)

Выходное сопротивление транзистора

(11)

Сопротивление коллекторного перехода транзистора

(12)

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера

(13)

(14)

Сопротивление эмиттерного перехода для тока базы

(15)

Сопротивление базы транзистора

(16)

У транзисторов малой мощности средней частоты значение не нормируется,поэтому для этих транзисторов =100200 Ом.

Примем =150 Ом.

Диффузная емкость эмиттерного перехода

(17)

-граничная частота коэффициента передачи тока, частота на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером =1

рассчитывается по формуле

==1=Гц

где -частота, на которой измерен модуль коэффициента передачи тока базы

Крутизна транзистора

(18)

Лучшие статьи по информатике

Разработка цикловой системы управления промышленным роботом
Электроника - это область науки и техники, которая занимается изучением физических основ функционирования, исследованием, разработкой и применением приборо ...

Проектирование автоматизированного реабилитационного устройства, предназначенного для реабилитации кистевого сустава человека
В современном мире нас повсюду окружают новейшие достижения техники. Невозможно представить ни одну из сфер деятельности человека без использования мехатрон ...

Элементная база для построения цифровых систем управления
Микроэлектроника - это комплексная область знаний, объектом изучения и разработки которой являются функционально сложные ИС, их структура, технология, диагн ...