Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора

Эта схема известна также в литературе под названием <<гибридная схема замещения>> и <<схема замещения Джиаколетто>>.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база Uкб= Uкбрт

(9)

Где -емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база.

Значения и возьмем из справочника,причем значение -из той же строки справочника, что и

Напряжение коллектор-база в рабочей точке рассчитаем по формуле:

(10)

Выходное сопротивление транзистора

(11)

Сопротивление коллекторного перехода транзистора

(12)

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера

(13)

(14)

Сопротивление эмиттерного перехода для тока базы

(15)

Сопротивление базы транзистора

(16)

У транзисторов малой мощности средней частоты значение не нормируется,поэтому для этих транзисторов =100200 Ом.

Примем =150 Ом.

Диффузная емкость эмиттерного перехода

(17)

-граничная частота коэффициента передачи тока, частота на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером =1

рассчитывается по формуле

==1=Гц

где -частота, на которой измерен модуль коэффициента передачи тока базы

Крутизна транзистора

(18)

Лучшие статьи по информатике

Приборы общего и специального назначения со встроенными микропроцессорами для измерения физических величин
Микропроцессорная техника получает все большее применение в приборостроении. Применение микропроцессоров (МП) преобразует измерительные приборы в «интеллект ...

Основы построения глобальной системы контроля Эшелон
«Эшелон» - общепринятое название глобальной системы радиоэлектронной разведки и контроля, представляющей собой многонациональную сеть электронных прослушива ...

Проектирование телевизионного приемника
электрический напряжение приемник телевизионный Цель курсового проекта: закрепить знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины, привить навы ...