Informatics Point
Информатика и проектирование
Рассчитать усилительный каскад на транзисторе. Схема включения транзистора - с общим эмиттером (рис 1), тип транзистора, напряжение питания и нижняя граничная частота указанны в таблице 1. Расчет проводится графоаналитическим методом по справочным ВАХ транзистора.
В результате расчета должны быть определены параметры резисторов и конденсаторов схемы, а также по схеме замещения в h-параметрах - коэффициенты усиления, входное и выходное сопротивления по переменному току в режиме холостого хода и при подключенной нагрузке. При этом принять Rг=0.1.Rвх, Rн=Rвх. Все номиналы резисторов и конденсаторов должны быть выбраны из стандартных рядов (Е 24).
Завершается расчет определением коэффициента усиления мощности и КПД каскада.
Рис.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером
таблице 1
Тип транзистора |
Материал |
Структура |
Uкэ0, В |
Uкэ0(и), В |
Iкмакс, мА |
Iкмакс, мА |
Ркмакс, Вт |
Ркмакс, Вт |
h21э min |
h21э max |
frp, МГц |
КТ312В |
Si |
n-p-n |
20 |
20 |
30 |
60 |
0,225 |
0,225 |
50 |
280 |
120 |
Корпус:
Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-базакбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-базакэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттеркэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттеркmax - Максимально допустимый постоянный ток коллекторакmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллекторакmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотводакmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводомэ - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромкбо - Обратный ток коллекторагр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора
Расчет режима по постоянному току.
Для заданного типа транзистора перерисовать входные и выходные характеристики для схемы ОЭ, увеличив, по возможности, масштаб.
Определить предельно допустимые значения , , , и тип транзистора n-p-n.
U |
5 |
10 |
15 |
20 |
I |
0,045 |
0,0225 |
0,015 |
0,01125 |
Построить область безопасной работы (ОБР) на выходной ВАХ транзистора, пользуясь соотношением
.
Рис. 2. ВАХ КТ312В
Выбрав , построим линию нагрузки на выходных ВАХ транзистора по точкам:
а) ,
б) , , Ом
По точкам пересечения линии нагрузки с выходными ВАХ построить переходную характеристику . Определить границы линейных участков на входной и переходной ВАХ .
Разработка автоматизированной системы управления газосварочным комплексом
Под автоматизацией технологических процессов понимают
применение энергии неживой природы в технологическом процессе или его составных
частях для выполнения ...
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Разработка цикловой системы управления промышленным роботом
Электроника - это область науки и техники, которая занимается
изучением физических основ функционирования, исследованием, разработкой и
применением приборо ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru