Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Модуль аналого-цифрового вводавывода FESTO EasyPort
гидравлический распределитель привод
В настоящее время множество промышленных предприятий используют
гидравлические исполнительные устройства (гидромоторы, ци ...
Проектирование радиоприемного устройства
Электромагнитное поле в месте радиоприема создается многими
естественными и искусственными источниками. Очень малую часть этого поля
составляет нужный сигна ...
Телефонный номеронабиратель
Первые микроконтроллеры компании MICROCHIP PIC16C5x появились
в конце 80-х годов и благодаря своей высокой производительности и низкой
стоимости составили с ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru