Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Проектирование линзовой афокальной насадки для маломощного лазера
Основой любого оптического прибора, в том числе и лазера,
является оптическая система, которая представляет собой совокупность оптических
деталей (линз, зер ...
Разработка управляющей программы для микроконтроллера HCS12
Около
55% проданных в мире процессоров приходится на 8ми битные микроконтроллеры.
Более 4 млрд. 8ми битных микроконтроллеров продано в 2006. Они установлены ...
Разработка принципиальной схемы 16 разрядного счетчика с использованием программы Electron ics Workbench 5.12
Подсчет импульсов является одной из наиболее распространенных операций,
выполняемых в устройствах дискретной обработки информации. Такая операция в
циф ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru