Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный
В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей
с большим числом датчиков и исполнительных меха ...
Технология спутникового и эфирного телевидения на основе предприятия ООО Антенн-Сервис
антенна сеть
В связи с быстрым развитием технологий и научных открытий всё более
актуальной становится проблема недостачности информации. Одним из средств
пе ...
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru