Informatics Point
Информатика и проектирование
Потребляемая мощность Р0 = IК0EП=0,014Вт
Коэффициент полезного действия h = PН / P0=78%
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в виде тепла, не должна превышать допустимую
РАС = Р0 - РВЫХ + РВХ=0,015Вт < РРАС.ДОП
Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе
РАС.ДОП = (tН.ДОП - tК) / RПК=6Вт
где tН.ДОП, tК - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК - тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
Напряжение смещения
В,
Т.к. Eсм < 0, его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера Rэ = -Eсм / Iк0=643 Ом,
Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе
UБЭ.ПИК = -UВ(1 + cosq) + E` - 2(2pfВХ)СKArбUК=-2,94В
Регистры хранения
Цель
работы: Изучить один из основных узлов ЭВМ - регистр
хранения (память), приобрести навыки в сборке наладке и экспериментальном
исследовании регистра. ...
Разработка устройства для измерения радиационного излучения
Ионизирующее
излучение, часто называемое радиоактивным излучением, ―
это естественное явление, всегда присутствующее в окружающей нас природной
...
Одноканальный ЭКГ на ОУ АД620 с цифровым выходом RS232
Электрокардиография
- это запись электрических сигналов, генерируемых при работе сердца. Сигнал ЭКГ
снимается с кожных покровов при помощи электродов, разме ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru