Informatics Point
Информатика и проектирование
Исходные данные для расчёта следующие:
· Коэффициент умножения n=3,
· Мощность на входе следующего каскада Р = 0,011 Вт,
· Мощность на выходе каскада Вт,
· Рабочая частота на входе f = 48 МГц,
Используем транзистор типа КТ929В. Частота усиливаемого сигнала - 1300 МГц. Параметры транзистора следующие:
· EK = 8 B,
· TП = 160°С,
· ТК = 40°С,
· RПК = 20 °С/Вт,
· h21Э = 38,
· СК =11 пФ,
· СЭ = 75 пФ,
· rБ = 4 Ом,
· rК = 2 Ом,
· rЭ = 0 Ом,
· UКЭ мах = 30 В,
· UЭБ мах = 3 В,
· LЭ = 1,2 нГн,
· LК = 2,4 нГн,
· LБ = 2,6 нГн.
Коэффициент усиления каскада при последующем расчёте получился недопустимо большим, поэтому вводим резистор в цепи эмиттера rЭ = 16 Ом,
Коэффициенты гармоник a0, a1, an,g0, g1, gn и коэффициент формы тока gn=an / a0 вычисляются как:
g0 = (sinq - qcosq) / p=0,0233;
g1 = (q - sinqcosq) / p=0,0449;
g2 = 2(sinq)3 / 3p=0,04;
g3 = g2cosq=0,0328;
an = gn / (1 - cosq) = =0,128, n =3
Выбираем критический режим работы. Коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания
где wT = 2pfT - граничная частота транзистора в схеме с ОЭ; СКА - активная емкость коллекторного перехода; SКР - крутизна линии граничного режима; ЕП - напряжение питания.
Напряжение n-й гармоники коллекторного напряжения Ukn = xКРEП=7,98В.
Амплитуда n-й гармоники коллекторного тока Ikn= 2PВЫХ / Ukn=2,9·10-3А
Максимальное сопротивление нагрузки RMAX = p / (qwTCKA)=5,38·108 Ом.
Сопротивление нагрузки умножителя RН = Ukn / Ikn=2751 Ом; RН < Rmax.
Амплитуда импульса тока коллектора
А,
Постоянная составляющая коллекторного тока
А,
Амплитуда первой гармоники тока коллектора Ik1=IMAX a1=1,68·10-3А,
Параметры транзистора:
Крутизна по переходу
А/В,
где tP - температура перехода, ОС
Сопротивление рекомбинации неосновных носителей rb и крутизна статической характеристики S определяются как
b = H21 / SР=188,85 Ом ,
А/В,
Диффузионная емкость эмиттерного перехода СД = SP / (2pfT)=7,86·10-5Ф
Постоянная времени открытого эммитерного перехода tS = CД(rб rb / ( rб + rb))=3,08·10-4с
Частота, на которой крутизна транзистора уменьшается до 0.7 от S: fS = 1 / (2ptS)=516,7МГц
Нормированная частота WS=fВХ/f=0,092
Косинус фазового аргумента крутизны на частоте fS
Амплитуда напряжения возбуждения
В,
Фаза первой гармоники тока коллектора в градусах
j1 = 18 + (47.4 - 22 / WS)(0.38 + g1)=-49,67°,
Входная проводимость (параллельный эквивалент)
Ом,
Входное сопротивление (последовательный эквивалент)
Ом,
Мощность возбуждения Вт,
Коэффициент усиления мощности КР = РВЫХ / РВ=28,2
Проектирование автоматизированного реабилитационного устройства, предназначенного для реабилитации кистевого сустава человека
В современном мире нас повсюду окружают новейшие достижения техники.
Невозможно представить ни одну из сфер деятельности человека без использования
мехатрон ...
Основы разработки карманного осциллографа
Осциллограф - прибор, предназначенный для исследования
электрических сигналов во временном области путём визуального наблюдения
графика сигнала на экран ...
Цифровая обработка сигналов
сигнал преобразование фурье искажение
Цифрова́я обрабо́тка сигна́лов (ЦОС, DSP - англ. digital signal processing) -
преобразование сигналов, п ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru