Informatics Point

Информатика и проектирование

Расчёт маломощного утроителя частоты

Исходные данные для расчёта следующие:

· Коэффициент умножения n=3,

· Мощность на входе следующего каскада Р = 0,011 Вт,

· Мощность на выходе каскада Вт,

· Рабочая частота на входе f = 48 МГц,

Используем транзистор типа КТ929В. Частота усиливаемого сигнала - 1300 МГц. Параметры транзистора следующие:

· EK = 8 B,

· TП = 160°С,

· ТК = 40°С,

· RПК = 20 °С/Вт,

· h21Э = 38,

· СК =11 пФ,

· СЭ = 75 пФ,

· rБ = 4 Ом,

· rК = 2 Ом,

· rЭ = 0 Ом,

· UКЭ мах = 30 В,

· UЭБ мах = 3 В,

· LЭ = 1,2 нГн,

· LК = 2,4 нГн,

· LБ = 2,6 нГн.

Коэффициент усиления каскада при последующем расчёте получился недопустимо большим, поэтому вводим резистор в цепи эмиттера rЭ = 16 Ом,

Коэффициенты гармоник a0, a1, an,g0, g1, gn и коэффициент формы тока gn=an / a0 вычисляются как:

g0 = (sinq - qcosq) / p=0,0233;

g1 = (q - sinqcosq) / p=0,0449;

g2 = 2(sinq)3 / 3p=0,04;

g3 = g2cosq=0,0328;

an = gn / (1 - cosq) = =0,128, n =3

Выбираем критический режим работы. Коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания

где wT = 2pfT - граничная частота транзистора в схеме с ОЭ; СКА - активная емкость коллекторного перехода; SКР - крутизна линии граничного режима; ЕП - напряжение питания.

Напряжение n-й гармоники коллекторного напряжения Ukn = xКРEП=7,98В.

Амплитуда n-й гармоники коллекторного тока Ikn= 2PВЫХ / Ukn=2,9·10-3А

Максимальное сопротивление нагрузки RMAX = p / (qwTCKA)=5,38·108 Ом.

Сопротивление нагрузки умножителя RН = Ukn / Ikn=2751 Ом; RН < Rmax.

Амплитуда импульса тока коллектора

А,

Постоянная составляющая коллекторного тока

А,

Амплитуда первой гармоники тока коллектора Ik1=IMAX a1=1,68·10-3А,

Параметры транзистора:

Крутизна по переходу

А/В,

где tP - температура перехода, ОС

Сопротивление рекомбинации неосновных носителей rb и крутизна статической характеристики S определяются как

b = H21 / SР=188,85 Ом ,

А/В,

Диффузионная емкость эмиттерного перехода СД = SP / (2pfT)=7,86·10-5Ф

Постоянная времени открытого эммитерного перехода tS = CД(rб rb / ( rб + rb))=3,08·10-4с

Частота, на которой крутизна транзистора уменьшается до 0.7 от S: fS = 1 / (2ptS)=516,7МГц

Нормированная частота WS=fВХ/f=0,092

Косинус фазового аргумента крутизны на частоте fS

Амплитуда напряжения возбуждения

В,

Фаза первой гармоники тока коллектора в градусах

j1 = 18 + (47.4 - 22 / WS)(0.38 + g1)=-49,67°,

Входная проводимость (параллельный эквивалент)

Ом,

Входное сопротивление (последовательный эквивалент)

Ом,

Мощность возбуждения Вт,

Коэффициент усиления мощности КР = РВЫХ / РВ=28,2

Перейти на страницу: 1 2

Лучшие статьи по информатике

Проектирование микропроцессорного устройства
Спроектировать микропроцессорное устройство содержащее МП, системный контроллер, адресные буферы, ОЗУ, ПЗУ, порт ввода/вывода, адресный дешифратор. ...

Обзор программных средств локальных сетей
С распространением ЭВМ нетрудно предсказать рост в потребности передачи данных. Некоторые приложения, которые нуждаются в системах связи, могу ...

Разработка автоматизированной системы контроля процессов пайки топливных коллекторов
На современном этапе развития промышленности, обеспечение стабильной работы предприятий по выпуску конкурентоспособной продукции, является задачей первостеп ...

Меню сайта