Informatics Point
Информатика и проектирование
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,345·10-3 См;
Bн = -1 / Xн=-3,11·10-3См,
Разработка автоматизированной системы контроля процессов пайки топливных коллекторов
На современном этапе развития промышленности, обеспечение стабильной
работы предприятий по выпуску конкурентоспособной продукции, является задачей
первостеп ...
Проектирование типовых электронных схем
Разработка
любого радиоэлектронного устройства в настоящее время остается в значительной
степени не техникой, а искусством . Однако за полвека развития
пол ...
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Меню сайта
2026 © www.informaticspoint.ru