Informatics Point
Информатика и проектирование
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,345·10-3 См;
Bн = -1 / Xн=-3,11·10-3См,
Трехмерные транзисторы
Один из аспектов повышения процессов обработки информации - получение
конструкции трехмерного транзистора.
Рассматриваются вопросы одного из наиболее прог ...
Проектирование светодиодного табло на микроконтроллере PIC16C84
светодиодный надежность
Развитие
микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в
устройствах и системах управления самыми раз ...
Электроакустика и радиовещание
Произвести необходимую планировку (реконструкцию)
помещения с целью использования его в качестве аудитории. Рассчитать
требуемую акустическую обработку внут ...
Меню сайта
2022 © www.informaticspoint.ru