Регулирующий элемент

После выбора и обоснования структурной схемы стабилизатора выбираем принципиальные схемы функциональных узлов, входящих в выбранную структурную схему стабилизатора. При этом необходимо решить, с помощью каких элементов выполнялись бы функции, возложенные на функциональные узлы, входящие в структурную схему стабилизатора.

Примеры выбора принципиальных схем и анализ их приведен ниже.

В состав компенсационного стабилизатора напряжения любого типа входят следующие основные функциональные узлы: регулирующий элемент, устройство сравнения (УС или ЭС), усилитель постоянного тока (УПТ).

Регулирующий элемент в компенсационном стабилизаторе напряжения выполняется, как правило, на составных транзисторах, схемы которых приведены на рисунках 2.1.

Рисунок 2.1 - Регулирующие составные транзисторы

Число включаемых транзисторов зависит от их коэффициентов передачи тока и заданного тока нагрузки стабилизатора. Для схемы на рисунок 2.1, а состоящей из двух транзисторов, статический коэффициент передачи тока составного каскада равен

, (2.1)

а напряжение насыщения

, (2.2)

Для схемы из трех транзисторов (рис. 2.1, б):

, (2.3)

. (2.4)

В приведенных выше формулах индексами 1, 2, 3 обозначены соответствующие параметры транзисторов VТ1 VT2, VT3. При расчете коэффициента стабилизации компенсационного стабилизатора напряжения удобно пользоваться коэффициентом усиления по напряжению µТ (при постоянном коллекторном токе Ik - const), который определяется по входным и выходным характеристикам транзисторов, как показано на рисунках 2.2.

Рисунок 2.2 - Типовые вольтамперные характеристики транзистора

Статический коэффициент передачи напряжения или коэффициент усиления по напряжению транзистора:

(2.5)

Тогда для оставного транзистора, состоящего из двух транзисторов (рис.2.1,а), коэффициент усиления по напряжению будет:

; (2.6)

для оставного транзистора из трех транзисторов (рис. 2.1, б);

. (2.7)

Кроме коэффициентов усиления транзистора характеризуются входным h11Э, внутренним riT и коллекторным rK сопротивлениями, которые определяются следующим образом:

входное сопротивление транзистора h11Э определяется по входным характеристикам

, (2.8)

- дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:

, (2.9)

где h22 - выходная проводимость транзистора,

внутреннее сопротивление транзистора:

. (2.10)

Тогда входное внутреннее и коллекторное сопротивления для составного транзистора, состоящего из двух транзисторов (рисунок 2.1, a), будут равны

, (2.11)

, (2.12)

; (2.13)

для составного транзистора, состоящего из трех транзисторов (рисунок 2.1, б)

Лучшие статьи по информатике

Разработка сети передачи данных Нуринского РУТ Карагандинской области на основе создания цифровых РРЛ
Оцифрованные магистрали, на базе которых строятся современные сети передачи информации, должны быть стандарта SDH (Synchronous Digital Hierarchy -это синхро ...

Проектирование цифровых каналов передачи
Непрерывный и всё ускоряющийся рост материального производства, прогресс в области науки техники, создание координационных и вычислительных центров и всё во ...

Проектирование источника вторичного электропитания
Научно технический прогресс в значительной мере связан с развитием радиотехники и электроники. В таких далёких от радиотехники областях, как медицина, транс ...