Informatics Point

Информатика и проектирование

Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов

Рассматривая работу активных элементов в квазистатическом режиме и используя семейства выходных характеристик с построением нагрузочных прямых произвожу расчёт требуемого коэффициента усиления напряжения и номинальных значений пассивных элементов.

Рассчитываем параметры элементов выходного каскада. Транзистор выходного каскада VT2 выбирается по току покоя Iк.о., который должен в 2¸3 раза превышать ток нагрузки:

. (1)

Отсюда,

.

Для выходного контура, используя ЗНК, составляю уравнение:

(2)

Для схемы с разделённой нагрузкой в качестве выходного применется фазоинверсный каскад для которого справедливы соотношения:

; .

Выбираю биполярный транзистор структуры p-n-p, пользуясь приложением 4 [1], марки 2Т3704-1. На рисунке 3.1 приведены входные и выходные ВАХ 2Т3704-1.

На выходных характеристиках БТ строю нагрузочную прямую и определяю положение рабочей точки (А). Координаты точки РТ IК.рт = 4,72 мА, UКЭ.рт = 4,5 В, IБ.рт = 43 мкА, UБЭрт = 0,78 В.

В каскаде с разделенной нагрузкой выбирают равными сопротивления в цепи коллектора, эмиттера:

.

Рисунок 3.1 - Семейство входных (а) и выходных (б) ВАХ БТ 2Т3704-1

Для проведённых расчётов проверяем выполнение ЗНК для выходного контура второго каскада:

.

Коэффициент усиления каскада с разделенной нагрузкой складывается из коэффициента передачи эмиттерного повторителя и коэффициента усиления транзистора включенного по схеме с общим эмиттером:

КU2=KЭП+KОЭ . (3)

Коэффициент передачи эмиттерного повторителя определяется по формуле:

, (4)

. (5)

Для расчёта коэффициента усиления каскада на VT2 для этого необходимо определить коэффициент усиления по току h21Э, входное сопротивление h11Э, RЭП, RЭЭ.

Значение параметра h21Э определяется с использованием семейства выходных характеристик в районе точки покоя РТ (рисунок 3.2б).

(6)

Значение параметра h11Э определяют по входной характеристике БТ (рисунок 3а):

(7)

Коэффициент усиления транзистора включенного по схеме с общим эмиттером определяется по формуле:

, (8)

где . (9)

;

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Лучшие статьи по информатике

Проектирование устройств электронной техники
Курсовой проект является одним из этапов изучения дисциплины «Электрические цепи и микросхемотехника» и имеет своей целью приобретение навыков проектировани ...

Проектирование линзовой афокальной насадки для маломощного лазера
Основой любого оптического прибора, в том числе и лазера, является оптическая система, которая представляет собой совокупность оптических деталей (линз, зер ...

Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового Напряжения от кон ...

Меню сайта