МДП-транзисторы со встроенным каналом

Физическое устройство МДП-транзистора со встроенным каналом отличается наличием между стоком и истоком проводящего канала. Основой такого транзистора является кристалл кремния p- или n-типа проводимости.

Рис. 9. Устройство полевого транзистора со встроенным каналом.

Для транзистора с n-типом проводимости:зи = 0; Ic1; Uзи > 0; Ic2 > Ic1; Uзи < 0; Ic3 < Ic1; Uзи << 0; Ic4 = 0.

При приложении электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов - ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут инжектироваться в канал. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю. Поэтому, МОП - транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.

Лучшие статьи по информатике

Расчет приемника
- Диапазон принимаемых частот: ДВ, СВ - 65,7 - 73,7 МГц 87,5 - 108,5 МГц - Реальная чувствительность: Е=1,5 мкВ - Выходная мощность: =40 мВт - ...

Цифровые компараторы
компаратор устройство логический сигнал Компаратор - устройство, предназначенное для сравнения двух сигналов. Он осуществляет переключение уровня выходного н ...

Теория автоматического управления. Линейные системы
Настоящие методические указания служат пособием для студентов института, выполняющих лабораторные и курсовые работы по теории линейных систем автоматическог ...