Informatics Point
Информатика и проектирование
Физическое устройство МДП-транзистора со встроенным каналом отличается наличием между стоком и истоком проводящего канала. Основой такого транзистора является кристалл кремния p- или n-типа проводимости.
Рис. 9. Устройство полевого транзистора со встроенным каналом.
Для транзистора с n-типом проводимости:зи = 0; Ic1; Uзи > 0; Ic2 > Ic1; Uзи < 0; Ic3 < Ic1; Uзи << 0; Ic4 = 0.
При приложении электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов - ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут инжектироваться в канал. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю. Поэтому, МОП - транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.
Проектирование цифровых фильтров
цифровой фильтр
дискретный квантование
В данной работе рассмотрен пример решения задачи проектирования (расчета
параметров) цифрового фильтра по известному а ...
Рынок систем атмосферных оптических линий связи
Современные
средства связи и управления в основном работают в радиодиапазоне, но важную
роль начинают играть информационные каналы работающие в других диапа ...
Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный
В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей
с большим числом датчиков и исполнительных меха ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru