Informatics Point
Информатика и проектирование
Физическое устройство МДП-транзистора со встроенным каналом отличается наличием между стоком и истоком проводящего канала. Основой такого транзистора является кристалл кремния p- или n-типа проводимости.
Рис. 9. Устройство полевого транзистора со встроенным каналом.
Для транзистора с n-типом проводимости:зи = 0; Ic1; Uзи > 0; Ic2 > Ic1; Uзи < 0; Ic3 < Ic1; Uзи << 0; Ic4 = 0.
При приложении электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов - ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут инжектироваться в канал. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю. Поэтому, МОП - транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.
Расчет цифровой радиорелейной линии связи
Линии радиорелейной связи - современный и
перспективный для дальнейшего развития, способ передачи информации на большие
расстояния. Применение радиорелейных ...
Обзор программных средств локальных сетей
С
распространением ЭВМ нетрудно предсказать рост в потребности передачи данных.
Некоторые приложения, которые нуждаются в системах связи, могу ...
Радиотехничесакие средства
радиотехника передатчик генератор каскад
Практика была организована в радиотехническом учебном центре (РТУЦ)
Ленинградской военно-морской базы (ЛенВМБ), базир ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru