Выбор элементной базы с оформлением эскизов по установке навесных элементов

е) Резистор С2-33

Резисторы постоянные непроволочные общего применения предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного токов и в импульсных режимах.

Рисунок 9. Резистор С2-33

Таблица 9 - Размеры резистора С2-33

Габаритные размеры, мм
L	D	I	d
6	2,2	20±3	0,6±0,1

Таблица 10 - Электрические параметры резистора С2-33

Номинальная мощность. Вт	0,5
Диапазон номинальных значений. кОм	470±1%
Предельное рабочее напряжение. В	350
Температура окружающей среды. °С	от -55 до +155
Относительная влажность. °С%	До 98% при +25 °С

ж) Резистор С1-4

Резисторы с углеродистым проводящим слоем предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока.

Рисунок 10. Резистор С1-4

Таблица 11 - Размеры резистора С1-4

Габаритные размеры, мм
L	D	I	d
3,2	1,5	20	0,48

Таблица 12 - Электрические параметры резистора С1-4

Номинальная мощность. Вт	0,062
Диапазон номинальных значений. кОм	1,2
Предельное рабочее напряжение. В	250
Температура окружающей среды. °С	от -55 до +125
Относительная влажность. °С%	До 98% при +25 °С

з) Резистор С2-23

Резисторы металлодиэлектрические предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока.

Рисунок 11. Резистор С2-23

Таблица 13 - Размеры резистора С2-23

Габаритные размеры, мм
L	D	I	d
3,2	1,5	20	0,48

Таблица 14 - Электрические параметры резистора С2-23

Номинальная мощность. Вт	0,25
Диапазон номинальных значений. кОм	10
Предельное рабочее напряжение. В	250
Температура окружающей среды. °С	от -55 до +155
Относительная влажность. °С%	До 98% при +25 °С

и) Транзистор КТ972Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Рисунок 12. Транзистор КТ972Б

Таблица 15 - Электрические параметры транзистора КТ972Б

Структура	NPN
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Напряжение эмиттер-база	5 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Ткорп. = -45 ÷ +25 ° С	8 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тсреды. = 25 ° С	1.25 Вт
Импульсный ток коллектора (tu ≤10 мкс, Q ≥ 5)	4 А
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора мА	2 А
Температура перехода	150 °C

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Лучшие статьи по информатике

Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
Развитие микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...

Проектирование микроконтроллера
Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и ...

Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ - устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к элек ...

Меню сайта