Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов

Рис.3.1.3. Этапы технологического процесса изготовления КМОП ИС: а осаждение и оплавление легкоплавкого диэлектрика, вскрытие контактных окон (ф-ш.б). заполнение их вольфрамом: 6 - напыление первого слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.7), осаждение и оплавление межслойного диэлектрика; в - вскрытие контактных окон к первому слою металла (ф-ш.8), заполнение их вольфрамом; г - напыление второго слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.9). осаждение и оплавление диэлектрика.

Заключение

По результатам расчётов в полупроводниковой структуре МДП выявлена нелинейная зависимость порогового напряжения от концентрации примесей на промежутке (10^13-10^17) см^-3. Предельные значения дифференциальной емкости при данных условиях равно от (2,14-3,835)*10^-4 и построили энергетическую диаграмму в режиме сильной инверсии.

транзистор диэлектрик полупроводник диаграмма

Лучшие статьи по информатике

Разработка сети передачи данных Нуринского РУТ Карагандинской области на основе создания цифровых РРЛ
Оцифрованные магистрали, на базе которых строятся современные сети передачи информации, должны быть стандарта SDH (Synchronous Digital Hierarchy -это синхро ...

Таймер на микроконтроллере MSP430F2013
Практически в любой современной электронной технике можно найти микроконтроллеры. Столь широкое применение этих микросхем обусловлено чрезвычайно удачным со ...

Электронные трансформаторы на основе высокочастотных структур с переключаемыми конденсаторами для автономных систем электроснабжения
Из основных тенденций развития радиоэлектронных средств (РЭС) и систем связи следует отметить с одной стороны все возрастающую степень использования интегра ...