Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов

Рис.3.1.3. Этапы технологического процесса изготовления КМОП ИС: а осаждение и оплавление легкоплавкого диэлектрика, вскрытие контактных окон (ф-ш.б). заполнение их вольфрамом: 6 - напыление первого слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.7), осаждение и оплавление межслойного диэлектрика; в - вскрытие контактных окон к первому слою металла (ф-ш.8), заполнение их вольфрамом; г - напыление второго слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.9). осаждение и оплавление диэлектрика.

Заключение

По результатам расчётов в полупроводниковой структуре МДП выявлена нелинейная зависимость порогового напряжения от концентрации примесей на промежутке (10^13-10^17) см^-3. Предельные значения дифференциальной емкости при данных условиях равно от (2,14-3,835)*10^-4 и построили энергетическую диаграмму в режиме сильной инверсии.

транзистор диэлектрик полупроводник диаграмма

Лучшие статьи по информатике

Таймер на микроконтроллере MSP430F2013
Практически в любой современной электронной технике можно найти микроконтроллеры. Столь широкое применение этих микросхем обусловлено чрезвычайно удачным со ...

Построение и анализ математической модели объекта управления
Построим математическую модель объекта управления в пространстве состояния Рисунок 2 Структурная схема ОУ В схеме четыре элемента, запасающих э ...

Применение цифровых фотокамер для осуществления регулярной видеосъемки в образовательных учреждениях
цифровая фотокамера видеосъёмка Современная жизнь диктует новые требования к качеству изобразительного контента. Если в 1980-90 е года черно-белая картинка с ...