Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов

Рис.3.1.3. Этапы технологического процесса изготовления КМОП ИС: а осаждение и оплавление легкоплавкого диэлектрика, вскрытие контактных окон (ф-ш.б). заполнение их вольфрамом: 6 - напыление первого слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.7), осаждение и оплавление межслойного диэлектрика; в - вскрытие контактных окон к первому слою металла (ф-ш.8), заполнение их вольфрамом; г - напыление второго слоя металла и формирование в нем разводки (ф-ш.9). осаждение и оплавление диэлектрика.

Заключение

По результатам расчётов в полупроводниковой структуре МДП выявлена нелинейная зависимость порогового напряжения от концентрации примесей на промежутке (10^13-10^17) см^-3. Предельные значения дифференциальной емкости при данных условиях равно от (2,14-3,835)*10^-4 и построили энергетическую диаграмму в режиме сильной инверсии.

транзистор диэлектрик полупроводник диаграмма

Лучшие статьи по информатике

Модернизация схемы блока управления для привода Fm-Stepdrive фирмы siemens с целью расширения функциональных возможностей
История развития бытовой и промышленной микропроцессорной аппаратуры тесно связана с развитием средств ЭВТ. За время своего развития средства ЭВТ прошли ...

Устройство преобразования аналоговых сигналов
Преобразование информации к виду, удобному для использования в различных устройствах, является важной задачей в системах управления. Долгое время предпочтен ...

Разработка автоматизированной системы контроля процессов пайки топливных коллекторов
На современном этапе развития промышленности, обеспечение стабильной работы предприятий по выпуску конкурентоспособной продукции, является задачей первостеп ...