Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Устройство акустического автомата
Предмет проектирования - разработка
конструкции функционально и конструктивно законченного устройства. Курсовой
проект завершается разработкой комплекта кон ...
Проектирование цифровых каналов передачи
Непрерывный и всё ускоряющийся рост материального производства, прогресс
в области науки техники, создание координационных и вычислительных центров и
всё во ...
Элементная база для построения цифровых систем управления
Микроэлектроника - это комплексная область знаний, объектом изучения и
разработки которой являются функционально сложные ИС, их структура, технология,
диагн ...
Меню сайта
2021 © www.informaticspoint.ru