Informatics Point

Информатика и проектирование

Структура металл-диэлектрик-полупроводник

В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового

Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.

    Лучшие статьи по информатике

    Проектирование цифровой системы коммутации на базе оборудования Surpass hiE 9200
    В настоящее время многие операторы связи обладают развитой инфраструктурой, построенной во время становления телекоммуникационной отрасли в России. Инфрастр ...

    Обзор программных средств локальных сетей
    С распространением ЭВМ нетрудно предсказать рост в потребности передачи данных. Некоторые приложения, которые нуждаются в системах связи, могу ...

    Сравнительный анализ социальных сетей
    Мы живем в 21 веке в эпоху бурного развития информационных технологий. Мобильные устройства, интернет и «умная» бытовая техника присутствуют в каждом ...

    Меню сайта