Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Разработка сети передачи данных Нуринского РУТ Карагандинской области на основе создания цифровых РРЛ
Оцифрованные
магистрали, на базе которых строятся современные сети передачи информации,
должны быть стандарта SDH (Synchronous Digital Hierarchy -это синхро ...
Цифровая обработка сигналов
сигнал преобразование фурье искажение
Цифрова́я обрабо́тка сигна́лов (ЦОС, DSP - англ. digital signal processing) -
преобразование сигналов, п ...
Разработка технологического процесса сборки и монтажа усилителя тока
В
настоящее время, когда развивающаяся рыночная экономика заставляет предприятия
специализирующиеся на выпуске радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) работать в
...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru