Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Устройство преобразования аналоговых сигналов
Преобразование информации к виду, удобному для использования в
различных устройствах, является важной задачей в системах управления. Долгое
время предпочтен ...
Применение аппаратно-вычислительной платформы Arduino для программирования автомобильных компьютерных систем
Если
у нас нет GPS Приемника, а мы хотим, как то ориентироваться в пространстве, то
можно использовать цифровой компас, который ре ...
Проектирование автоматизированного реабилитационного устройства, предназначенного для реабилитации кистевого сустава человека
В современном мире нас повсюду окружают новейшие достижения техники.
Невозможно представить ни одну из сфер деятельности человека без использования
мехатрон ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru