Informatics Point

Информатика и проектирование

Структура металл-диэлектрик-полупроводник

В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового

Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.

    Лучшие статьи по информатике

    Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
    Целью проекта является разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей прокатки. По ...

    Технология TriplePlay
    Сегодня во множестве источников можно узнать, что мировая телекоммуникационная отрасль находится в состоянии грандиозной реконструкции, связанной с конверге ...

    Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
    Развитие микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...

    Меню сайта