Структура металл-диэлектрик-полупроводник

В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового

Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.

• Анализ физических процессов в заданной полупроводниковой структуре
• Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов

Лучшие статьи по информатике

Проектирование телевизионного приемника
электрический напряжение приемник телевизионный Цель курсового проекта: закрепить знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины, привить навы ...

Технология ZigBee
автоматизация дом безопасность умный В самых разных отраслях имеется потребность в создании беспроводных сетей с большим числом датчиков и исполнительных меха ...

Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...