Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Элементная база для построения цифровых систем управления
Микроэлектроника - это комплексная область знаний, объектом изучения и
разработки которой являются функционально сложные ИС, их структура, технология,
диагн ...
Оптрон гальванической развязки
Основное преимущество обратноходовой топологии - дешевизна и
малое количество компонентов. Поэтому практически все сетевые источники питания
до мощностей 30 ...
Разработка цикловой системы управления промышленным роботом
Электроника - это область науки и техники, которая занимается
изучением физических основ функционирования, исследованием, разработкой и
применением приборо ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru