Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Проектирование цифровой системы коммутации на базе оборудования Surpass hiE 9200
В настоящее время многие операторы связи обладают развитой
инфраструктурой, построенной во время становления телекоммуникационной отрасли
в России. Инфрастр ...
Обзор программных средств локальных сетей
С
распространением ЭВМ нетрудно предсказать рост в потребности передачи данных.
Некоторые приложения, которые нуждаются в системах связи, могу ...
Сравнительный анализ социальных сетей
Мы живем в 21 веке в эпоху бурного развития информационных технологий.
Мобильные устройства, интернет и «умная» бытовая техника присутствуют в каждом ...
Меню сайта
2023 © www.informaticspoint.ru