Informatics Point
Информатика и проектирование
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового
Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.
Подтверждение соответствия сотового телефона марки Nokia n97
В
настоящее время тяжело представить человека без сотового или как его еще называют
мобильного телефона. У кого-то смартфон, кому то по нраву КПК, кто-т ...
Частотно-территориальное планирование сети сотовой подвижной связи стандарта GSM
Линии радиосвязи, входящие в состав сотовых сухопутных подвижных систем
электросвязи (ССПСЭ) и спутниковых систем связи, обычно работают в диапазонах
ультра ...
Способы соединения компьютеров в ЛВС
В
настоящие дни во многих организациях и предприятиях широко применяются
локальные вычислительные сети, сокращенно ЛВС. Они обеспечивают совместную
работу ...
Меню сайта
2023 © www.informaticspoint.ru