Расчет ожидаемой защищенности на входе регенератора

Ожидаемая защищенность на входе регенератора определяется по формуле:

Азащ.ожид=10lg(Pc/(Рсш+Рлп+Ррег))=10lg(1/(10-0.1Азпл+η2ст+ηрег)),

где Азпл - защищенность от линейных переходов;

η2ст=((КТΔF)/10-0.1(Pпер-ауч))10-3

К=1.38 10-23Дж/К - постоянная Больцмана;

Т=291 К;

ΔF=2048кГц - тактовая частота;

Ауч=36дБ - номинальное затухание участка:

ηрег=0.05

Азпл=А1-αl=ALcд-10lg(lрег/lсд)+α(lрег/lсд),дБ

А1 - переходное затухание на дальнем конце;

α - коэффициент затухания кабеля;

ALcд - переходное затухание на дальнем конце строительной длины кабеля;

lрег - длина участка регенерации;

lсд - строительная длина кабеля;

Для внутризонового участка:

η2ст=((КТΔF)/10-0.1(Pпер-ауч))10-3=13.04 10-16

Азпл=А1-αl=ALcд-10lg(lрег/lсд)+α(lрег/lсд)=137.28 дБ

Азащ.ожид=10lg(1/(10-0.1Азпл+η2ст+ηрег))=33.01 дБ

Для магистрального участка:

η2ст=((КТΔF)/10-0.1(Pпер-ауч))10-3=13.04 10-16

Азпл=А1-αl=ALcд-10lg(lрег/lсд)+α(lрег/lсд)=118.25

Азащ.ожид=10lg(1/(10-0.1Азпл+η2ст+ηрег))=33.72 дБ

Как мы видим, для обоих фрагментов участков сети выполняется условие - Азащ.ожид>Атреб. Это значит, что наша линия удовлетворяет необходимым параметрам.

Лучшие статьи по информатике

Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...

Электрический расчет ЛТ по волоконно-оптическим системам передачи
Научно-технический прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом. Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информаци ...

Электронные трансформаторы на основе высокочастотных структур с переключаемыми конденсаторами для автономных систем электроснабжения
Из основных тенденций развития радиоэлектронных средств (РЭС) и систем связи следует отметить с одной стороны все возрастающую степень использования интегра ...