Развитие рынка светодиодных светильников

Физический эффект генерации света полупроводниковыми структурами был обнаружен около 100 лет назад. Примерно в то же время Т. Эдисон создал лампу накаливания, которая 100 лет служила человечеству, оставляя в тени робкие «полупроводниковые люмены» светодиодов.

Прогресс в этой области стал возможен благодаря достижениям полупроводниковых технологий, у истоков которых стояли российские ученые во главе с лауреатом Нобелевской премии Жоресом Алферовым [1].

А отправной точкой развития технологий производства светодиодного освещения следует считать создание в 1996 году компанией Nichia светодиода белого цвета. Мировой рынок светодиодов начал активно развиваться уже с 2000 года, чему способствовали как общемировой призыв к переходу на энергоэффективные технологии, так и рост уровня светоотдачи светодиодов [2].

Стремительный рост эффективности светодиодов позволил в течение десятилетия догнать по такому показателю как светоотдача наиболее совершенные - газоразрядные лампы. На рисунке 1 представлены тенденции развития современных источников света по данным Департамента энергетики США.

Рисунок 1. Историческая и прогнозируемая эффективность источников света.

Взрывной рост эффективности светодиодов сопровождается фантастическими темпами падения стоимости их массового производства. По прогнозам, стоимость 1 лм излучения, сгенерированного светодиодными источниками, к 2016 г. сравняется со стоимостью светового потока газоразрядных ламп, а в 2020 г. этот показатель достигнет 1 долл. за 1000 лм.

К 2016 г. световая отдача промышленных светодиодов приблизится к 200 лм/Вт. Высокая светоотдача в сочетании с падением цен на светодиоды открывает широкую дорогу их использованию в осветительной технике. Отдельные недостатки светодиодов перестанут быть сдерживающим фактором их применения [1].

Лучшие статьи по информатике

Решение производственных задач по основам метрологии и радиоизмерений
Предметом дисциплины «Метрология и радиоизмерения» является изучение основ метрологии и метрологического обеспечения, стандартизации и сертификации в област ...

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...

Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового Напряжения от кон ...