Выбор и обоснование элементной базы

Произведем обоснование выбора ИМС, которая будет использована в устройстве, а именно, микросхема И-НЕ, в которой в одном корпусе находится четыре элемента И-НЕ. Анализ произведем с тремя микросхемами, которые являются аналогами друг другу и полностью аналогичны по своей функциональности: HEF4011B, SN74HC00, MM74HC00.

Выбранные для сравнения параметры микросхем и их значения представлены в таблице 3.1. Выбор параметров для сравнения производился исходя из их различия в значениях, т. е. выбирались параметры, значения которых отличаются в рассматриваемых микросхемах, а также, исходя из важности того или иного параметра.

Таблица 3.1 ― Параметры микросхем И-НЕ

Примечание. Pрас ― мощность рассеивания; Vccmax ― максимальное напряжение питания; Tmaxamb ― максимальная температура окружающей среды; tr, tf ― уровень нарастания или спадания; Icc ― ток питания

Произведем выбор оптимальной микросхемы при помощи метода выбора компонентов по матрице параметров.

Если увеличение параметра приведет к ухудшению работы схемы, то необходимо его пересчитать по формуле:

.(3.1)

Таблица 3.2 ― Приведенные параметры Y

Запишем матрицу нормированных параметров. Элементы матрицы рассчитаем по формуле:

Лучшие статьи по информатике

Проектирование типовых электронных схем
Разработка любого радиоэлектронного устройства в настоящее время остается в значительной степени не техникой, а искусством . Однако за полвека развития пол ...

Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового Напряжения от кон ...

Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей прокатки. По ...