Informatics Point
Информатика и проектирование
реактивное:
Ом,
Входная проводимость в параллельном эквиваленте
Yвх = Gвх + jBвх = 1 / (Rвх + jXвх)=(0,047+I · 0,12)См
Потребляемая мощность P0 = Ik0 / Eп=0,42Вт
Коэффициент полезного действия η = Pвых / P0=26,19%
Коэффициент усиления по мощности Kp = k2iRkn / rвх1=1,77
Мощность возбуждения на входе умножителя Pвх = Pвых / Kp=0,062Вт
Мощность, рассеиваемая в транзисторе Pрас = P0 - Pвых + Pвх =0,302Вт< Pрас доп
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,00182 См; Bн = -1 / Xн=-0,018См,
Разработка устройства для измерения радиационного излучения
Ионизирующее
излучение, часто называемое радиоактивным излучением, ―
это естественное явление, всегда присутствующее в окружающей нас природной
...
Цифровой термометр
Уровень и направления развития электронных ЦАП и АЦП в значительной
степени определялись и продолжают определяться требованиями к техническим и
эксплуатацио ...
Проектирование микроконтроллера
Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в
промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми
разнообразными объектами и ...
Меню сайта
2026 © www.informaticspoint.ru