Informatics Point
Информатика и проектирование
реактивное:
Ом,
Входная проводимость в параллельном эквиваленте
Yвх = Gвх + jBвх = 1 / (Rвх + jXвх)=(0,047+I · 0,12)См
Потребляемая мощность P0 = Ik0 / Eп=0,42Вт
Коэффициент полезного действия η = Pвых / P0=26,19%
Коэффициент усиления по мощности Kp = k2iRkn / rвх1=1,77
Мощность возбуждения на входе умножителя Pвх = Pвых / Kp=0,062Вт
Мощность, рассеиваемая в транзисторе Pрас = P0 - Pвых + Pвх =0,302Вт< Pрас доп
Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе
Pрас доп = (tп доп - tк) / Rпк=3,13Вт
где tп доп , tк - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк - сопротивление переход-корпус.
Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора и емкости коллекторного перехода в параллельном эквиваленте соответственно
Ом,
Ом,
Активная и реактивная составляющие проводимости Yн = Gн + jBн вычисляются как
Gн = 1 / Rн=0,00182 См; Bн = -1 / Xн=-0,018См,
Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом
нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей
прокатки.
По ...
Проектирование волоконно-оптической линии связи протяженностью 557 км
С
течением времени роль информации в жизни человека становилась все существеннее.
Нужно было изучать и понимать уже не только законы природы, но и понятия и ...
Моделирование волноводных устройств СВЧ
Прогресс
радиоэлектроники сопровождается быстрым развитием теории и техники СВЧ -
устройств. Возрастает сложность СВЧ трактов, повышаются требования к
элек ...
Меню сайта
2025 © www.informaticspoint.ru