Informatics Point
Информатика и проектирование
Элемент сравнения и усилитель постоянного тока выполним на транзисторе VT1 (рис.2.3).
Задаемся максимальным коллекторным током усилительного транзистора IК.МАКС = 10 мА. Определяем напряжение коллектор-эмиттер усилительного транзистора
. (3.28)
Максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе
. (3.29)
В качестве усилительного транзистора VT1 выбираем транзистор типа КТ503Б со следующими параметрами:
коэффициент передачи тока h21Э = 80
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ.МАКС = 60 В;
максимально допустимый постоянный ток коллектора IК.МАКС =150 мА;
максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом PМАКС = 350 мВт.
Для повышения устойчивости работы стабилизатора переход база коллектор усилительного транзистора шунтируем керамическим конденсатором емкостью 0,1 мкФ типа КМ-5.
Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая
система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую
аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...
Трехмерные транзисторы
Один из аспектов повышения процессов обработки информации - получение
конструкции трехмерного транзистора.
Рассматриваются вопросы одного из наиболее прог ...
Проектирование канала сбора аналоговых данных микропроцессорной системы
Применяя микропроцессоры и микро-ЭВМ для контроля за сложными
производственными процессами, можно обрабатывать в реальном масштабе времени
сигналы, поступаю ...
Меню сайта
2026 © www.informaticspoint.ru