Расчет регулирующего элемента

В качестве регулирующего элемента предварительно выбираем схему составного транзистора, состоящего из двух транзисторов.

Определим величину минимально допустимого входного напряжения:

где UВЫХ.МАКС - напряжение на нагрузке; UКЭ - напряжение насыщения регулирующего транзистора (обычно принимается 3…5В для кремневых транзисторов); UВХ~ - максимальный уровень пульсаций входного напряжения стабилизатора.

В (3.2)

В (3.3)

Номинальное и максимальное значения напряжения на входе стабилизатора с учетом колебания питающей сети ±20%

В (3.4)

Максимальное падение напряжения на регулирующем транзисторе при условии срабатывания защиты от перегрузки по току равно максимальному значению входного напряжения

В (3.5)

Максимальный ток через регулирующий транзистор принимаем равным току срабатывания защиты от перегрузки

(3.6)

Максимальная мощность рассеяния на транзисторе VT1

Вт (3.7)

В качестве регулирующего элемента принимаем схему составного транзистора, в которой VT1 транзистор типа КТ503А со следующими параметрами:

коэффициент передачи тока h21Э = 120;

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ.МАКС =0,6 В;

максимально допустимый постоянный ток коллектора IК.МАКС=150А;

максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом PМАКС = 200 Вт;

тепловой ток IКЭ0=10 мА.типа 2Т947А со следующими параметрами:

коэффициент передачи тока h21Э = 65

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ.МАКС =10 В;

максимально допустимый постоянный ток коллектора IК.МАКС = 1,5 А;

максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом PМАКС = 10 Вт;

тепловой ток IКЭ0=50 мкА.

Базовый ток транзистора VT1

А (3.8)

Базовый ток транзистора VT2

. (3.9)

Для обеспечения нормальной работы стабилизатора без нагрузки переход база-эмиттер транзистора VT1 зашунтируем резистором сопротивлением

, (3.10)

мощность этого резистора

, (3.11)

а VT2

, (3.12)

мощность этого резистора

. (3.14)

Выбираем шунтирующие резисторы типа МЛТ-0,125-68 Ом и МЛТ-0,125-1,3кОм

Лучшие статьи по информатике

Программно управляемый генератор сигнала типа меандр сверхнизкой частоты на микроконтроллере
является 8-ми разрядным CMOS микроконтроллером с низким уровнем энергопотребления, основанным на усовершенствованной AVR RISC архитектуре. Благодаря выполне ...

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...

Технология спутникового и эфирного телевидения на основе предприятия ООО Антенн-Сервис
антенна сеть В связи с быстрым развитием технологий и научных открытий всё более актуальной становится проблема недостачности информации. Одним из средств пе ...