Informatics Point
Информатика и проектирование
В результате анализа технического задания было выяснено, что получить требуемые параметры, используя типовые схемы стабилизаторов трудно, вследствие сложности проектирования: большое количество каскадов (больше 10) и большое количество элементов обвязки. Расчет такого стабилизатора также будет затруднен необходимостью подбора радиоэлементов по параметрам и согласование каскадов. Оптимальным решением в данном случае будет применение интегрального стабилизатора напряжения на микросхеме DA1(LM337T). Такие стабилизаторы содержат большое количество транзисторов (больше 10) , подобранных по параметрам, каскады включения согласованы. Не маловажным фактором является и то, что основные каскады стабилизации содержаться в одном корпусе. Это обеспечивает термостабильность (работу стабилизатора при температурах -40°С до +100°С).
На приведенной схеме стабилизатора напряжения резисторы R1, R2 и конденсатор C1 составляют обвязку микросхемы, их номиналы содержатся в перечне элементов по параметрах стабилизаторов.
Резистор R3 - это резистор защиты стабилизатора от перегрузки выходным током.
Пара резисторов R4, R5 задают порог срабатывания тепловой защиты стабилизатора.
Конденсатор C2 позволяет снизить уровень пульсаций и помех при большом входном напряжении.
Конденсатор С3 - для уменьшения броска тока при подключении нагрузки и снижения пульсаций выходного напряжения.
ВЫБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ
|
ЭРЭ |
Обозначение |
Длинна (мм) |
Диаметр (мм) |
Ширина (мм) |
Площадь (мм) |
|
Конденсатор К10-7B- 0.1 мкФ ±5% |
С1 |
3 |
4 |
3,5 |
10,5 |
|
Конденсатор К50-35-16 мкФ ±5% |
С2 |
3 |
6 |
5 |
15 |
|
Конденсатор К50-35-50 мкФ ±5% |
С3 |
6 |
8 |
9 |
54 |
|
Микросхема LM337T |
MC |
8 |
4 |
9 |
63 |
|
Резистор МЛТ-0.125- 1.2 кОм ±5% |
R1 |
2 |
2,2 |
4 |
8 |
|
Резистор МЛТ-0.125- 2 кОм ±5% |
R2 |
2 |
2,2 |
4 |
8 |
|
Резистор МЛТ-0.125- 200 Ом ±2% |
R3 |
2 |
2,2 |
4 |
8 |
|
Резистор МЛТ-0.125- 160 Ом ±2% |
R4 |
2 |
2,2 |
4 |
8 |
|
Резистор МЛТ-0.125- 82 Ом ±2% |
R5 |
2 |
2,2 |
4 |
8 |
Структура металл-диэлектрик-полупроводник
В
МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа
нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости
порогового
Напряжения
от кон ...
Разработка автоматизированной системы управления газосварочным комплексом
Под автоматизацией технологических процессов понимают
применение энергии неживой природы в технологическом процессе или его составных
частях для выполнения ...
Разработка системы управления электроприводом нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана 5000 горячей прокатки
Целью проекта является разработка системы управления электроприводом
нажимного устройства реверсивного четырехвалкового стана «5000» горячей
прокатки.
По ...
Меню сайта
2026 © www.informaticspoint.ru