МДП-транзисторы с индуцированным каналом

Рис. 8. Устройство полевого транзистора с индуцированным каналом.

з = 0; Ic1 = 0; Uз < 0; Ic2 = 0; Uз > 0; Ic3 > 0.

При Uз менее или равном 0, канал отсутствует, и ток стока равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, являясь неосновными носителями, подложки p-типа, уйдут на затвор, а дырки - вглубь подложки. В тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, поэтому полупроводник поменяет тип проводимости. Таким образом, образуется индуцированный канал, и в цепи стока потечёт ток.

Лучшие статьи по информатике

Электронные трансформаторы на основе высокочастотных структур с переключаемыми конденсаторами для автономных систем электроснабжения
Из основных тенденций развития радиоэлектронных средств (РЭС) и систем связи следует отметить с одной стороны все возрастающую степень использования интегра ...

Расчет основных характеристик усилительного каскада биполярного транзистора
транзистор усилитель каскад Целью данной курсовой работы по предмету “Схемотехника телекоммуникационных устройств” является применение знаний полученных ...

Проектирование микропроцессорного устройства
Спроектировать микропроцессорное устройство содержащее МП, системный контроллер, адресные буферы, ОЗУ, ПЗУ, порт ввода/вывода, адресный дешифратор. ...