Технологии изготовления электронно-дырочного перехода

- заряд электрона; q = Кл;

Поставляя значения в формулу, получили:

Тепловой ток определяется из выражения:

I0 = (трутко)

где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81

S - площадь перехода, S = м2

- собственная проводимость полупроводника,

,- проводимость соответствующих слоев,

Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3

, Ом м

Ln, Lp - диффузионные длины носителей заряда, которые можно найти с помощью формул:

где Dp, Dn - коэффициенты диффузии дырок и электронов

(королев)

, - время жизни дырок и электронов

, = 2.5 * 10-3 сек (королев)

В итоге получили

ВАХ

Барьерная емкость

где - относительная диэлектрическая проницаемость кремния , = 11.8;

- электрическая постоянная, 𝜀0 = 8,85419·10-12 Ф/м;

S - площадь перехода, S = м2;

- высота потенциального барьера определяется формулой

где b - отношение подвижности электронов и дырок, b = 2.81

ρi = 2.3·103 Ом·м;

, - удельные сопротивления соответствующих слоёв, для кремния

Определим их с помощью графика, при Nприм= 10-17 см-3

, Ом м

Подставляя в числовые значения, в итоге получили:

= 0.76 В

l -ширина перехода

Поставляя значения получаем

l =

Барьерная емкость

Диффузионная емкость

Лучшие статьи по информатике

Расчет антенны для земной станции спутниковой системы связи (ЗССС)
Зеркальные антенны являются наиболее распространёнными остронаправленными антеннами. Их широкое применение в самых разнообразных радиосист ...

Технология изготовления электронно-лучевой трубки
Фокусирующая система может быть линзовой или зеркальной. Линзовые системы имеют сферическую аберрацию значительно, большую, чем зеркальные, но первые ко ...

Модернизация схемы блока управления для привода Fm-Stepdrive фирмы siemens с целью расширения функциональных возможностей
История развития бытовой и промышленной микропроцессорной аппаратуры тесно связана с развитием средств ЭВТ. За время своего развития средства ЭВТ прошли ...