Анализ технического задания

В ходе работы необходимо рассчитать полупроводниковый диод. В задании на курсовое проектирование приведены только основные величины, которых недостаточно для полного расчета параметров биполярного и полевого МДП-транзистора. Таким образом, в расчетной части будут указаны дополнительные величины и их значения, необходимые для проведения расчёта.

Из задания следует, что полупроводниковый диод изготавливается по диффузионной технологии.

Диффузия - это процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают p- или n- области путем введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей внутрь пластины проводника происходит за счет диффузии атомов примеси. Источником примеси диффузанта может быть либо жидкость, либо газ (пар). В первом случае поверхность пластины контактирует со расплавом, содержащем в качестве компонента необходимую примесь, во втором случае - с парами примеси или с потоком инертного газа-носителя, содержащего пары примеси. Второй метод имеет большее распространение.

Диффузия примесей имеет под собой ту же теоретическую базу, что и диффузия подвижных носителей заряда. Существенное отличие состоит, конечно, в отсутствие рекомбинации, а с количественной стороны в несравненно меньших коэффициентах диффузии, а значит, и скоростях движения.

Лучшие статьи по информатике

Проектирование и расчет трассы радиорелейной линии
Одним из основных видов средств связи являются радиорелейные линии прямой видимости, которые используются для передачи сигналов многоканальных телефонных со ...

Проектирование канала сбора аналоговых данных микропроцессорной системы
Применяя микропроцессоры и микро-ЭВМ для контроля за сложными производственными процессами, можно обрабатывать в реальном масштабе времени сигналы, поступаю ...

Модернизация схемы блока управления для привода Fm-Stepdrive фирмы siemens с целью расширения функциональных возможностей
История развития бытовой и промышленной микропроцессорной аппаратуры тесно связана с развитием средств ЭВТ. За время своего развития средства ЭВТ прошли ...