Расчет оконечного каскада усиления

В данном устройстве, которое необходимо рассчитать использован транзистор серии 2Т970А.

К его параметрам относятся:

1. Статический коэффициент передачи по току h21э0 = 20

. Сопротивление материала базы rб = 0.5 Ом

. Сопротивление материала эмиттера rэ = 0.15 Ом

. Сопротивление насыщения rнас = 0.4 Ом

. Напряжение отсечки Е'б = 0.3 В

. Граничная частота передачи по току fт = 1000 МГц

. Емкость коллекторного перехода Ск = 150 пФ

. Емкость эмиттерного перехода Сэ = 1800 пФ

. Индуктивность эмиттерного вывода Lэ = 0.2 нГн

. Индуктивность базового вывода Lб = 1 нГн

. Индуктивность коллекторного вывода Lк = 0.87 нГн

Допустимые параметры:

. Предельное напряжение на коллекторе - эмиттере Екэдоп = 50 В

. Предельное напряжение на коллекторе Екдоп = 28 В

. Предельное напряжение на базе - эмиттере Ебэдоп = 13 В

. Допустимое значение постоянной составляющей коллекторного тока Iк0доп = 1 А

Экспериментальные параметры:

16. Рабочая частота диапазона fраб = 500 МГц

17. Мощность в нагрузке Р’н = 100 Вт

. Коэффициент усиления по мощности К’р = 5

. КПД ГВВ η = 50 %

20. Напряжение питания Еп = 28 В. Выберем напряжение из нормали стандартных напряжений Еп = 30 В.

. Постоянная времени коллекторного перехода τк = 12 пс

. Допустимая температура перехода tдоп = 160 ˚С

Лучшие статьи по информатике

Разработка контура регулирования давления смешанного газа на ГСС блока воздухонагревателей
Главным средством технического процесса, без которого невозможны высокие темпы дальнейшего роста производительности труда, является комплексная механизация ...

Телефонный номеронабиратель
Первые микроконтроллеры компании MICROCHIP PIC16C5x появились в конце 80-х годов и благодаря своей высокой производительности и низкой стоимости составили с ...

Светодиодная гирлянда на микроконтроллере ATiny2313
Развитие микроэлектроники и широкое её применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процесс ...