Informatics Point
Информатика и проектирование
Для улучшения характеристик стабилизатора в схему введем токостабилизирующий двухполюсник на элементах VT2, VD2, VD3 RЭ и RБ (рис.2,5, б).
Выходной ток токостабилизирующего двухполюсника
. (3.30)
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора VT1 не превышает максимального входного напряжения стабилизатора UКЭVT1 = UВХ.МАКС= =37,64 В.
Максимальная мощность рассеяния транзистора VT1
. (3.31)
Для токостабилизирующего двухполюсника выбираем транзистор типа КТ502Г со следующими параметрами:
коэффициент передачи тока h21Э ≥ 30;
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер КЭ.МАКС =15 В;
максимально допустимый постоянный ток коллектора IК.МАКС = 0,01 А;
максимально допустимая рассеиваемая мощность PМАКС = 1 Вт.
Ток базы транзистора VT1
. (3.32)
Задаемся током по цепи VD5-VD6-RБ
. (3.33)
Принимаем IVD5 = 10 мА.
Выбираем диоды VD5 и VD6 типа КД521В со следующими параметрами:
максимально допустимый средний прямой ток IПР.СР = 50 мА;
максимально допустимое постоянное обратное напряжение ОБР.МАКС = 50 В.
Сопротивление резистора
.(3.34)
Мощность, рассеиваемая на резисторе RБ
. (3.35)
Выбираем резистор RБ типа МЛТ-0,5-4,3 кОм.
Напряжение на резисторе RЭ
. (3.36)
Ток через резистор RЭ
. (3.37)
Сопротивление резистора RЭ
. (3.38)
Мощность, рассеиваемая на резисторе RЭ
. (3.39)
Выбираем резистор RЭ типа МЛТ-0,125-30 Ом.
Физические принципы работы и способы применения обнаружителей пустот
Для получения доступа к сведениям, носящим конфиденциальный
характер, в любой организации средствами технической разведки злоумышленника
(чащ ...
Расчет антенны для земной станции спутниковой системы связи (ЗССС)
Зеркальные антенны являются наиболее распространёнными
остронаправленными антеннами. Их широкое применение в самых разнообразных
радиосист ...
Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый
диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП)
кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...
Меню сайта
2024 © www.informaticspoint.ru