Informatics Point

Информатика и проектирование

Расчет телефонной нагрузки приборов атс и соединительных линий

Количество элементов оборудования АТС определяется по абонентской емкости станции и в зависимости от величины телефонной нагрузки. Все расчеты количества оборудования устройств связи производятся по нагрузке Y (Эрланг), рассчитывается для часа наибольшей нагрузки (ЧНН).

Y=N×C×T/3600 (1)

где N - число абонентских линий, включенных в станцию;

C - среднее число вызовов, приходящихся на одного абонента в ЧНН;

T - средняя продолжительность одного занятия.

Различают среднюю и расчетную величины нагрузки. В задании проектирования (табл. №1) даны исходные данные для определения средних нагрузок для ЧНН, но чтобы учесть случайные увеличения нагрузок, вводят поправочный коэффициент и тогда получают расчетную нагрузку Yр, определяемую по формуле:

Yр=Y+0,674 (2)

Средние длительности составляющих технического и абонентского времени приведены в таблице 2.

Таблица 2- Длительность процессов

Наименование

Средняя длительность (сек)

Слушанье сигналов: ответа станции вызова

tос=3 tвыз=10

Набор каждой цифры номера: дисковый номеронабиратель кнопочный номеронабиратель

tн=1,5 tм=0,8

Соединение: на АТС КЭ на координатной станции на цифровой на РМТС

tса=1 tка=3 tсц=0,5 tср=20

Разъединение: координатная и АТС КЭ цифровые РМТС

tра=1 tрц=0,5 tрр=5

Ответ телефонистки

tтел=4

Ответ станции

tоа=3

Ответ стола заказов

tзан=7

Лучшие статьи по информатике

Полевой транзистор с изолированным затвором
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля. Полевые транзисто ...

Модернизация схемы блока управления для привода Fm-Stepdrive фирмы siemens с целью расширения функциональных возможностей
История развития бытовой и промышленной микропроцессорной аппаратуры тесно связана с развитием средств ЭВТ. За время своего развития средства ЭВТ прошли ...

Расчёт электронно-дырочного перехода
Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "Полупроводниковый диод" объединяе ...

Меню сайта